TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

870.4 10.3

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 87

Около -200% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

87 29
Скорость чтения, Гб/сек

3,155.6 13.4
Скорость записи, Гб/сек

870.4 10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

417 2832

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 9905624-025.A00G 8GB

Kingston 9905624-025.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-153.A00LF 4GB

Kingston 9905469-153.A00LF 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB

Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

модули RAM