RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
87
Около -222% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
870.4
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2323
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
INTENSO 5641160 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link