RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
87
Около -248% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
870.4
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2542
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link