RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    870.4 left arrow 10.1
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 87
    Около -211% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 5300
    Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    87 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,155.6 left arrow 13.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    870.4 left arrow 10.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    417 left arrow 2179

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
модули RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
модули RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
модули RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
модули RAM