RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
87
Около -164% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
870.4
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2665
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link