TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Средняя оценка

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.5

Среднее значение в тестах

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 53

Около -43% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.6 1,590.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

53 37
Скорость чтения, Гб/сек

3,726.4 15.5
Скорость записи, Гб/сек

1,590.1 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

522 2962

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Kingston 9905670-012.A00G 8GB

Kingston 9905670-012.A00G 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB

Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB

Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB

модули RAM