RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
53
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.6
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
11.7
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
1832
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link