TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB против Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Средняя оценка

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Причины выбрать
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 30

Около 17% меньшая задержка

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16 12.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.3 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

23400 10600

Около 2.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 30
Скорость чтения, Гб/сек

12.5 16.0
Скорость записи, Гб/сек

8.4 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 23400

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2180 2709

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Kingston X75V1H-MIE 32GB

Kingston X75V1H-MIE 32GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

модули RAM