RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
96
Около -300% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
11.9
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
1218
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link