RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
96
Около -269% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.7
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
23.7
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
4124
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link