RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
96
Около -159% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.7
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2277
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link