RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
96
Около -191% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3482
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link