RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
96
Около -317% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3004
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link