RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 13.6
    Среднее значение в тестах
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    74 left arrow 96
    Около -30% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    7.7 left arrow 1,336.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    96 left arrow 74
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,725.2 left arrow 13.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,336.0 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    438 left arrow 1616

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM

takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
модули RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
модули RAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
модули RAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
модули RAM