Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB

-->

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 44

Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.2 10.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.4 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 28
Скорость чтения, Гб/сек

10.9 19.2
Скорость записи, Гб/сек

7.5 15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1853 3609

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB

Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Kingston 9905624-033.A00G 8GB

Kingston 9905624-033.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB

Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

AMD R744G2133U1S 4GB

AMD R744G2133U1S 4GB

модули RAM

Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB

Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB

Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB

Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB

модули RAM