RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
13.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
2179
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link