Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против Kllisre DDR4-8GB 8GB

-->

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Средняя оценка

Kllisre DDR4-8GB 8GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 46

Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.6 11.4

Среднее значение в тестах

Kllisre DDR4-8GB 8GB

Причины выбрать
Kllisre DDR4-8GB 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.1 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 46
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 11.4
Скорость записи, Гб/сек

7.2 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2051 2311

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Super Talent F3200UA8G 8GB

Super Talent F3200UA8G 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965589-005.A01G 8GB

Kingston 9965589-005.A01G 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB

Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston 9965684-013.A00G 8GB

Kingston 9965684-013.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB

A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB

модули RAM