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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
比较
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
总分
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
12.2
15.6
写入速度,GB/s
8.5
14.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1677
3465
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
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