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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
11.3
12.6
写入速度,GB/s
7.5
8.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
2659
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
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