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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

总分
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

总分
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 94
    左右 -203% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18 left arrow 1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.8 left arrow 1,165.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    94 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    1,882.0 left arrow 18.0
  • 写入速度，GB/s
    1,165.4 left arrow 14.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    305 left arrow 3497

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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AMD AE34G2139U2 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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内存RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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内存RAM
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston 9905622-057.A00G 4GB
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内存RAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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内存RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
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内存RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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