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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
比较
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
总分
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
56
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,925.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
27
读取速度,GB/s
4,315.2
14.8
写入速度,GB/s
1,925.7
11.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
658
2426
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
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