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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

总分
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 19.4
    测试中的平均数值
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    19 left arrow 56
    左右 -195% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.0 left arrow 1,925.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    56 left arrow 19
  • 读取速度，GB/s
    4,315.2 left arrow 19.4
  • 写入速度，GB/s
    1,925.7 left arrow 15.0
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    658 left arrow 3397

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Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
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内存RAM
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
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内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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内存RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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Mushkin 994083 4GB
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Mushkin 996969 4GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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