RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Nanya Technology NT256T64UH4A1FN-3C 256MB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Nanya Technology NT256T64UH4A1FN-3C 256MB

总分
star star star star star
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

总分
star star star star star
Nanya Technology NT256T64UH4A1FN-3C 256MB

Nanya Technology NT256T64UH4A1FN-3C 256MB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    52 left arrow 73
    左右 29% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    1,145.9 left arrow 1,013.7
    测试中的平均数值
Nanya Technology NT256T64UH4A1FN-3C 256MB 需要考虑的原因
Nanya Technology NT256T64UH4A1FN-3C 256MB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    5300 left arrow 4200
    左右 1.26 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Nanya Technology NT256T64UH4A1FN-3C 256MB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时，ns
    52 left arrow 73
  • 读取速度，GB/s
    2,614.5 left arrow 2,143.5
  • 写入速度，GB/s
    1,145.9 left arrow 1,013.7
  • 内存带宽，mbps
    4200 left arrow 5300
Other
  • 描述
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • 时序/时钟速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    409 left arrow 96

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Nanya Technology NT256T64UH4A1FN-3C 256MB RAM的比较

Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Nanya Technology NT256T64UH4A1FN-3C 256MB
Nanya Technology NT256T64UH4A1FN-3C 256MB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
内存RAM
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
内存RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
内存RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
内存RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
内存RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
内存RAM