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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
66
左右 -144% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.8
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
27
读取速度,GB/s
2,775.5
21.8
写入速度,GB/s
1,557.9
17.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3788
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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