RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
66
左右 -106% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
32
读取速度,GB/s
2,775.5
17.1
写入速度,GB/s
1,557.9
16.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3742
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
报告一个错误
×
Bug description
Source link