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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

总分
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

总分
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 16.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,061.2 left arrow 12.4
    测试中的平均数值
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB 需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 46
    左右 -92% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    46 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    4,937.3 left arrow 16.6
  • 写入速度，GB/s
    2,061.2 left arrow 12.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    759 left arrow 3037

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较

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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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内存RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
内存RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
内存RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
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