RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
14.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
46
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
21
读取速度,GB/s
4,937.3
18.6
写入速度,GB/s
2,061.2
14.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3356
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB RAM的比较
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5471-024.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link