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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
4,937.3
15.2
写入速度,GB/s
2,061.2
9.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2810
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Inmos + 256MB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
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