RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

总分
star star star star star
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 18.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,061.2 left arrow 15.0
    测试中的平均数值
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB 需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    20 left arrow 46
    左右 -130% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    46 left arrow 20
  • 读取速度，GB/s
    4,937.3 left arrow 18.9
  • 写入速度，GB/s
    2,061.2 left arrow 15.0
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    759 left arrow 3230

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
内存RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
内存RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
内存RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
内存RAM