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AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
67
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
38
读取速度,GB/s
6.8
14.2
写入速度,GB/s
3.6
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2807
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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