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AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
67
左右 -235% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
20
读取速度,GB/s
6.8
19.7
写入速度,GB/s
3.6
14.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3400
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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