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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
67
左右 -139% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
28
读取速度,GB/s
6.8
18.2
写入速度,GB/s
3.6
14.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3663
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
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