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AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
67
左右 -235% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
20
读取速度,GB/s
6.8
18.9
写入速度,GB/s
3.6
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3230
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
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