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AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
56
左右 -180% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
20
读取速度,GB/s
7.4
20.3
写入速度,GB/s
5.6
16.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
3708
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
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