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AMD AE34G2139U2 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
64
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
64
读取速度,GB/s
7.4
16.5
写入速度,GB/s
5.6
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2016
AMD AE34G2139U2 4GB RAM的比较
AMD R938G2130U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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