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AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
78
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.1
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
78
读取速度,GB/s
7.4
12.1
写入速度,GB/s
5.6
10.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2113
AMD AE34G2139U2 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 2400 2OZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
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