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AMD AE34G2139U2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
83
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
83
读取速度,GB/s
7.4
14.3
写入速度,GB/s
5.6
8.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
1774
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
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