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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
14.7
12.0
写入速度,GB/s
9.2
5.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
1925
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
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