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AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
比较
AMD R538G1601S2LS 8GB vs Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
总分
AMD R538G1601S2LS 8GB
总分
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601S2LS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.9
11.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
28
42
读取速度,GB/s
11.3
11.9
写入速度,GB/s
8.2
7.9
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1793
1979
AMD R538G1601S2LS 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB RAM的比较
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
AMD R334G1339U2S 4GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
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