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AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
AMD R748G2606U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
61
左右 69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R748G2606U2S 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
61
读取速度,GB/s
18.4
15.0
写入速度,GB/s
12.3
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2028
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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