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AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
25
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
25
读取速度,GB/s
18.4
15.2
写入速度,GB/s
12.3
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2740
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
AMD R538G1601U2S 8GB
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G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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