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AMD R538G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
32
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.6
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
32
读取速度,GB/s
18.4
20.6
写入速度,GB/s
12.3
14.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
3393
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
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