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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
33
读取速度,GB/s
14.2
15.2
写入速度,GB/s
10.0
11.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2774
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
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