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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.3
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
14.2
13.4
写入速度,GB/s
10.0
10.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2588
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
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