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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
38
读取速度,GB/s
14.2
15.4
写入速度,GB/s
10.0
12.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3147
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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