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AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 -6% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
35
读取速度,GB/s
15.4
13.7
写入速度,GB/s
9.2
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2237
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
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