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AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
AMD R744G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
76
左右 51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2606U1S 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
76
读取速度,GB/s
15.4
15.7
写入速度,GB/s
9.2
8.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
1809
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
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