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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
15.4
17.6
写入速度,GB/s
9.2
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3268
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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