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AMD R5S38G1601U2S 8GB
INTENSO M418039 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs INTENSO M418039 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
INTENSO M418039 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
37
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
20
读取速度,GB/s
15.4
16.0
写入速度,GB/s
9.2
7.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2414
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
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