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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

总分
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AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

AMD R5S38G1601U2S 8GB 需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 37
    左右 -32% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 15.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.9 left arrow 9.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    15.4 left arrow 16.7
  • 写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 11.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2581 left arrow 2948

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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
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内存RAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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内存RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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内存RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
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内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Super Talent F24SB8GH 8GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
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